IT之家 3 月 30 日消息，据 Tom’s Hardware 报道，本月早些时候，剑桥大学的研究团队在《科学 · 进展》期刊发表论文，介绍了一种新型氧化铪忆阻器。
这项新技术的核心亮点在于，其开关电流仅是传统氧化物器件的约一百万分之一。
该研究由剑桥大学材料科学与冶金系的巴巴克 · 巴希特博士牵头。
团队研制出一种多元薄膜结构，薄膜内部可形成 PN 结，让器件能在低于 10 纳安的电流下平稳完成状态切换，同时可实现数百个独立电导档位。
据IT之家了解，忆阻器是两端电子元件，能够在同一物理位置存储并处理数据，彻底规避了传统计算机架构中，内存与运算单元之间频繁数据传输带来的高能耗问题。
这类导电细丝具有随机特性，会导致器件个体差异大、循环稳定性差，严重限制计算精度。
来源：IT之家
