IT之家 3 月 31 日消息，《韩国经济日报》当地时间昨日援引业内消息报道称，三星电子的晶圆代工业务已定下 2030 年前完成 1nm 级先进制程工艺 SF1。

0 开发并转移至量产阶段的目标。

0 将采用 forksheet 叉片晶体管器件结构，这是现有 nanosheet GAA 全环绕栅极晶体管的演化。

其在标准 GAA 的基础上新增介质壁，可进一步提升晶体管密度与性能，该结构又分为“内壁”与“外壁”两种类型。

此外报道提到，三星电子计划 2027 年实现 SF2P+ 工艺的商业化投产，而特斯拉的 AI6 芯片则将以 SF2T 工艺于 2027 年量产。

来源：IT之家